Випуски УФМ »  Том 13, випуск 4

Вивчення властивостей контактів кремнію з бар’єром Шотткі, виготовлених на основі аморфних і полікристалічних різних металевих стопів

І. Г. Пашаєв

Бакінський державний університет, вул. Академіка Західа Халілова, 23, 1148 Баку, Азербайджан

Отримана: 08.02.2012; остаточний варіант - 29.04.2012. Завантажити: PDF

В даній оглядовій роботі викладено результати з вивчення електрофізичних властивостей діод Шотткі (ДШ), виготовлених на основі різноманітних металевих стопів. Наведено результати автора даної роботи та інших авторів стосовно зміні властивостей ДШ в залежності від обраних металевих складів і структур плівок металу. За рентґенофазової аналізи досліджуваних систем, — Ni–Ti, Pb–Sb, Al–Ni, TiB, — встановлено, що основні стопи при певній пропорції компонентів мають аморфну структуру, а інші плівки — полікристалічну. Визначено основні параметри ДШ в залежності від складу і структури вивчених плівок. З’ясовано причини появи надлишкового струму та інших спостережуваних ефектів поблизу температури кристалізації досліджуваних аморфних металевих плівок. Показано, що спостережувані за термовідпалу ефекти пов’язані зі змінами структури аморфної плівки металу при переході в полікристалічний стан.

Ключові слова: склад і структура аморфних металів, діоди Шотткі, плівка стопу напівпровідників, деґрадація, надлишковий струм.

PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Ei, 81.40.Rs, 85.30.Hi, 85.30.Kk, 85.40.Ls

Citation: I. G. Pashayev, Studying of Properties of Silicon Junctions with the Schottky Barrier Fabricated on the Base of Amorphous and Polycrystalline Various Metal Alloys, Usp. Fiz. Met., 13, No. 4: 397—416 (2012) (in Russian), doi: 10.15407/ufm.13.04.397

Цитована література (37)  
  1. D. K. Wickenden et al., Solid-State Electron., 27: 515 (1984). Crossref
  2. Ш. Г. Аскеров, Н. С. Болтовец, И. Г. Пашаев, Ш. С. Асланов, Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 2(68): 39 (1988).
  3. M. J. Cole et al., Electron. Lett., 19: 474 (1983). Crossref
  4. R. T. Tung, J. Vac. Sci. Technol., 2, No. 3: 465 (1984). Crossref
  5. И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, Укр. физ. ж., 160, № 9: 75 (1990).
  6. Ш. Г. Аскеров, И. Г. Пашаев, Международная конференция ‘Fizika–2005’ (Азербайджан: 2005), т. 49, с. 193.
  7. Sh. C. Askerov and I. G. Pashaev, 2nd Int. Conference (Tabriz, Iran: 2004), p. 367.
  8. А. Гинье, Рентгенография кристаллов: Теория и практика (Москва: Гос. изд. физ.-мат. лит.: 1961).
  9. K. Судзуки, К. Хасимото, Х. Фудзимори, Аморфные металлы (Москва: Металлургия: 1987).
  10. А. И. Иващенко, Б. Е. Саморуков, А. Соломанов, Физ. техн. полупровод., 4: 770 (1979).
  11. И. В. Золотухин, Соросовский образовательный журнал, 4: 74 (1997).
  12. Ш. Г. Аскеров, Влияние степени неоднородности границы раздела на электрофизические свойства структур металл–вакуум и металл–полупроводник (Автореф. дис. … докт. физ.-мат. н.) (Баку: 1992).
  13. В. К. Комар и др., Физ. техн. полупровод., 6: 711 (2007).
  14. Н. А. Пенин, Физ. техн. полупровод., 5: 562 (2000).
  15. Тонкие плёнки. Взаимная диффузия и реакции (Ред. Дж. Поут, К. Ту, Дж. Мейер) (Москва: Мир: 1982).
  16. И. В. Золотухин, Н. Ю. Соколов, Электронная техника. Микроэлектроника, 1: 23 (1989).
  17. K. T. Y. Kung et al., J. Appl. Phys. Lett., 55: 3882 (1984).
  18. M. Finetti, E. T. S. Pan, I. Suni, and M. A. Nicolet, Appl. Phys. Lett., 42, No. 11: 987 (1983). Crossref
  19. G. Tod, P. G. Naris, I. H. Scoby, and M. Q. Kelly, Solid-State Electron., 27, No. 6: 507 (1984). Crossref
  20. V. Šmíd, S. Kozár, J. J. Mares et al., J. Non-Cryst. Solids, 90, No. 1–3: 347 (1987). Crossref
  21. S. Takatani, N. Natsuoka, J. Shigeta, and N. Hashimoto, J. Appl. Phys., 61, No. 1: 220 (1987). Crossref
  22. J. D. Wiley, J. H. Perepezko, J. E. Nordman, and K.-J. Guo, IEEE Trans. Ind. Electron., 29, No. 2: 154 (1982). Crossref
  23. W. Novak, R. Keukelaer, and W. Weng, J. Vac. Sci. Technol., 3, No. 6: 2242 (1985). Crossref
  24. M. Suzuki et al., Jap. J. Appl. Phys., 22: L709 (1983). Crossref
  25. П. Н. Крылов, Физика, 4: 125 (2006).
  26. П. Н. Крылов, Физ. техн. полупровод., 3: 306 (2000).
  27. А. А. Гурбанов, Деградация свойств диодных структур с барьером Шоттки на основе кремния (Дис. … канд. физ.-мат. н.) (Баку: 1998).
  28. И. Г. Пашаев, Вестник Бакинского Университета, 1: 68 (1999).
  29. И. Г. Пашаев, Вестник Бакинского Университета, 3: 94 (1999).
  30. Ш. Г. Аскеров, И. Г. Пашаев, Р. Ф. Мехтиев, Вестник Бакинского Университета, 1: 79 (2006).
  31. Ш. Г. Аскеров, Р. Ф. Мехтиев, И. Г. Пашаев, Вестник Бакинского Университета, 3: 162 (2006).
  32. Ш. Г. Аскеров, И. Г. Пашаев, Р. Ф. Мехтиев, Вестник Бакинского Университета, 2: 135 (2007).
  33. Ш. Г. Аскеров, Р. Ф. Мехтиев, И. Г. Пашаев, Вестник Бакинского Университета, 3: 141 (2008).
  34. I. G. Pashaev, Int. J. Techn. Phys. Probl. Eng., 41, No. 10: 41 (2012).
  35. Ш. Г. Аскеров, Ш. С. Асланов, И. Г. Пашаев, Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 6, № 78: 46 (1989).
  36. Ш. Г. Аскеров, Ш. С. Асланов, И. Г. Пашаев, Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Физика и применение контакта металл–полупроводник» (Киев: 1987), с. 16.
  37. И. Г. Пашаев, Баку АН. Физика, 3, № 4: 64 (1997).

© 2013–2018 «ІМФ НАН України»