Выпуски УФМ »  Том 13, выпуск 4

Изучение свойств контактов кремния с барьером Шоттки, изготовленных на основе аморфных и поликристаллических различных металлических сплавов

И. Г. Пашаев

Бакинский государственный университет, ул. Академика Захида Халилова, 23, 1148 Баку, Азербайджан

Получена: 08.02.2012; окончательный вариант - 29.04.2012. Скачать: PDF

В данной обзорной работе изложены результаты по изучению электрофизических свойств диодов Шоттки (ДШ), изготовленных на основе различных металлических сплавов. Приведены результаты автора данной работы и других авторов по изменению свойств ДШ в зависимости от выбранных металлических составов и структур плёнок металла. При рентгенофазовом анализе исследуемых систем, — Ni–Ti, Pb–Sb, Al–Ni, TiB, — установлено, что основные сплавы при определённой пропорции компонентов имеют аморфную структуру, а остальные плёнки — поликристаллическую. Определены основные параметры ДШ в зависимости от состава и структуры изученных плёнок. Выяснены причины появления избыточного тока и других наблюдаемых эффектов вблизи температуры кристаллизации исследуемых аморфных металлических плёнок. Показано, что наблюдаемые при термоотжиге эффекты связаны с изменениями структуры аморфной плёнки металла при переходе в поликристаллическое состояние.

Ключевые слова: состав и структура аморфных металлов, диоды Шоттки, плёнка сплава полупроводников, деградация, избыточный ток.

PACS: 73.30.+y, 73.40.Cg, 73.40.Ei, 81.40.Rs, 85.30.Hi, 85.30.Kk, 85.40.Ls

Citation: I. G. Pashayev, Studying of Properties of Silicon Junctions with the Schottky Barrier Fabricated on the Base of Amorphous and Polycrystalline Various Metal Alloys, Usp. Fiz. Met., 13, No. 4: 397—416 (2012) (in Russian), doi: 10.15407/ufm.13.04.397

Цитированная литература (37)  
  1. D. K. Wickenden et al., Solid-State Electron., 27: 515 (1984). Crossref
  2. Ш. Г. Аскеров, Н. С. Болтовец, И. Г. Пашаев, Ш. С. Асланов, Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 2(68): 39 (1988).
  3. M. J. Cole et al., Electron. Lett., 19: 474 (1983). Crossref
  4. R. T. Tung, J. Vac. Sci. Technol., 2, No. 3: 465 (1984). Crossref
  5. И. В. Золотухин, Ю. Е. Калинин, Укр. физ. ж., 160, № 9: 75 (1990).
  6. Ш. Г. Аскеров, И. Г. Пашаев, Международная конференция ‘Fizika–2005’ (Азербайджан: 2005), т. 49, с. 193.
  7. Sh. C. Askerov and I. G. Pashaev, 2nd Int. Conference (Tabriz, Iran: 2004), p. 367.
  8. А. Гинье, Рентгенография кристаллов: Теория и практика (Москва: Гос. изд. физ.-мат. лит.: 1961).
  9. K. Судзуки, К. Хасимото, Х. Фудзимори, Аморфные металлы (Москва: Металлургия: 1987).
  10. А. И. Иващенко, Б. Е. Саморуков, А. Соломанов, Физ. техн. полупровод., 4: 770 (1979).
  11. И. В. Золотухин, Соросовский образовательный журнал, 4: 74 (1997).
  12. Ш. Г. Аскеров, Влияние степени неоднородности границы раздела на электрофизические свойства структур металл–вакуум и металл–полупроводник (Автореф. дис. … докт. физ.-мат. н.) (Баку: 1992).
  13. В. К. Комар и др., Физ. техн. полупровод., 6: 711 (2007).
  14. Н. А. Пенин, Физ. техн. полупровод., 5: 562 (2000).
  15. Тонкие плёнки. Взаимная диффузия и реакции (Ред. Дж. Поут, К. Ту, Дж. Мейер) (Москва: Мир: 1982).
  16. И. В. Золотухин, Н. Ю. Соколов, Электронная техника. Микроэлектроника, 1: 23 (1989).
  17. K. T. Y. Kung et al., J. Appl. Phys. Lett., 55: 3882 (1984).
  18. M. Finetti, E. T. S. Pan, I. Suni, and M. A. Nicolet, Appl. Phys. Lett., 42, No. 11: 987 (1983). Crossref
  19. G. Tod, P. G. Naris, I. H. Scoby, and M. Q. Kelly, Solid-State Electron., 27, No. 6: 507 (1984). Crossref
  20. V. Šmíd, S. Kozár, J. J. Mares et al., J. Non-Cryst. Solids, 90, No. 1–3: 347 (1987). Crossref
  21. S. Takatani, N. Natsuoka, J. Shigeta, and N. Hashimoto, J. Appl. Phys., 61, No. 1: 220 (1987). Crossref
  22. J. D. Wiley, J. H. Perepezko, J. E. Nordman, and K.-J. Guo, IEEE Trans. Ind. Electron., 29, No. 2: 154 (1982). Crossref
  23. W. Novak, R. Keukelaer, and W. Weng, J. Vac. Sci. Technol., 3, No. 6: 2242 (1985). Crossref
  24. M. Suzuki et al., Jap. J. Appl. Phys., 22: L709 (1983). Crossref
  25. П. Н. Крылов, Физика, 4: 125 (2006).
  26. П. Н. Крылов, Физ. техн. полупровод., 3: 306 (2000).
  27. А. А. Гурбанов, Деградация свойств диодных структур с барьером Шоттки на основе кремния (Дис. … канд. физ.-мат. н.) (Баку: 1998).
  28. И. Г. Пашаев, Вестник Бакинского Университета, 1: 68 (1999).
  29. И. Г. Пашаев, Вестник Бакинского Университета, 3: 94 (1999).
  30. Ш. Г. Аскеров, И. Г. Пашаев, Р. Ф. Мехтиев, Вестник Бакинского Университета, 1: 79 (2006).
  31. Ш. Г. Аскеров, Р. Ф. Мехтиев, И. Г. Пашаев, Вестник Бакинского Университета, 3: 162 (2006).
  32. Ш. Г. Аскеров, И. Г. Пашаев, Р. Ф. Мехтиев, Вестник Бакинского Университета, 2: 135 (2007).
  33. Ш. Г. Аскеров, Р. Ф. Мехтиев, И. Г. Пашаев, Вестник Бакинского Университета, 3: 141 (2008).
  34. I. G. Pashaev, Int. J. Techn. Phys. Probl. Eng., 41, No. 10: 41 (2012).
  35. Ш. Г. Аскеров, Ш. С. Асланов, И. Г. Пашаев, Электронная техника. Сер. 10. Микроэлектронные устройства, 6, № 78: 46 (1989).
  36. Ш. Г. Аскеров, Ш. С. Асланов, И. Г. Пашаев, Тезисы докладов Всесоюзной конференции «Физика и применение контакта металл–полупроводник» (Киев: 1987), с. 16.
  37. И. Г. Пашаев, Баку АН. Физика, 3, № 4: 64 (1997).

© 2013–2018 «ИМФ НАН Украины»