Йонно-променеве перемішування у шарових системах
Є. М. Зубарєв
Національний технічний університет «Харківський політехнічний інститут», вул. Фрунзе, 21, 61002 Харків, Україна
Отримана: 25.01.2010. Завантажити: PDF
При малих дозах опромінення (йонами He+ до $\Phi \leq 5\cdot10^{20}$ йон/м$^2$ та йонами Ar$^{+}$ до $\Phi \leq 1,3\cdot10^{18}$ йон/м$^2$) товщина силіцидних фаз на міжфазних межах поділу Mo-на-Si і Si-на-Mo збільшується однаково і лінійно з дозою опромінення. Середній атомовий склад аморфних перемішаних зон відповідає стопу MoSi$_{8,2}$ і MoSi$_{3,9}$ при опроміненні йонами He$^{+}$ і Ar$^{+}$ відповідно. При збільшенні дози опромінення спостерігається зменшення густини аморфних перемішаних зон. На температурній залежності йонно-променевого перемішування багатошарових структур Mo/Si, опромінених йонами He$^{+}$, спостерігаються дві ділянки: 1 – слабкої залежности ($T_{опр} \leq 260°C$), 2 – сильної залежности ($T_{опр} > 260°C$) від температури опромінення. Енергія активації йонно-променевого перемішування на зазначених ділянках складає $Q_{1} \approx 0,02$ еВ і $Q_{2} \approx 0,5$ еВ відповідно. Особливості йонно-променевого перемішування пояснюються на основі перемішування у каскадах зіткнень.
Ключові слова: багатошарова періодична структура, йонно-променеве перемішування, каскад зіткнень, малокутова Рентґенова дифрактометрія, електронна мікроскопія.
PACS: 07.85.Jy, 61.05.cf, 61.05.cm, 61.80.-x, 68.37.Lp, 68.65.Ac, 81.15.Jj
Citation: E. M. Zubarev, Ion-Beam Mixing in Layered Systems, Usp. Fiz. Met., 11, No. 2: 175—207 (2010) (in Russian), doi: 10.15407/ufm.11.02.175