Ионно-лучевое перемешивание в слоистых системах
Е. Н. Зубарев
Национальный технический университет «Харьковский политехнический институт», ул. Фрунзе, 21, 61002 Харьков, Украина
Получена: 25.01.2010. Скачать: PDF
При малых дозах облучения (ионами He$^{+}$ до $\Phi \leq 5\cdot10^{20}$ ион/м$^2$ и ионами Ar$^{+}$ до $\Phi \leq 1,3\cdot10^{18}$ ион/м$^2$) толщина силицидных фаз на межфазных границах раздела Mo-на-Si и Si-на-Mo увеличивается одинаково и линейно с дозой облучения. Средний атомный состав аморфных перемешанных зон соответствует сплаву состава MoSi$_{8,2}$ и MoSi$_{3,9}$ при облучении ионами He$^{+}$ и Ar$^{+}$ соответственно. При увеличении дозы облучения наблюдается уменьшение плотности аморфных перемешанных зон. На температурной зависимости ионно-лучевого перемешивания многослойных структур Mo/Si, облученных ионами He$^{+}$, наблюдаются два участка: 1 – слабой зависимости ($T_{обл} \leq 260°C$), 2 – сильной зависимости ($T_{обл} > 260°C$) от температуры облучения. Энергии активации ионно-лучевого перемешивания для указанных участков составляют $Q_{1} \approx 0,02$ эВ и $Q_{2} \approx 0,5$ эВ соответственно. Особенности ионно-лучевого перемешивания объясняются на основе перемешивания в субкаскадах столкновений.
Ключевые слова: многослойная периодическая структура, ионно-лучевое перемешивание, каскад столкновений, малоугловая рентгеновская дифрактометрия, электронная микроскопия.
PACS: 07.85.Jy, 61.05.cf, 61.05.cm, 61.80.-x, 68.37.Lp, 68.65.Ac, 81.15.Jj
Citation: E. M. Zubarev, Ion-Beam Mixing in Layered Systems, Usp. Fiz. Met., 11, No. 2: 175—207 (2010) (in Russian), doi: 10.15407/ufm.11.02.175