Виконано ретельні теоретичні й експериментальні дослідження та модернізацію окремих процесів лазерної та магнетронної метод осадження з метою створення YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ плівок та бар’єрних шарів CeO$_{2}$ з контрольованою кристалічною структурою і високими надпровідними властивостями плівок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$. У результаті роботи розроблено фізико-технологічні основи процесу одержання надпровідних плівок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ на діелектричних (сапфірових) підложжях із використанням бар’єрного шару CeO$_{2}$, як методою двопроменевого лазерного осадження, так і магнетронного розпорошення. Виконано оптимізацію технологічних режимів осадження плівок обома методами. Показано, що за оптимальних умов осадження можна одержувати епітаксійні плівки YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ з контрольованою наноструктурою, як методою імпульсного лазерного осадження, так і методою магнетронного розпорошення. При цьому можливо контрольовно змінювати надпровідні властивості ВТНП-плівок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$, як за струмонесною спроможністю, так і за поверхневим імпедансом на надвисоких частотах. Густина критичного струму надпровідних плівок в залежности від кількости лінійних дефектів (крайових дисльокацій) може коливатися від $7\cdot10^6$ A/см$^2$ при 77 К у нульовому магнетному полі для густини лінійних дефектів близько $10^{11}$ см$^{−2}$ до $×10^5$ A/см$^2$ у таких самих умовах міряння для густини лінійних дефектів близько $10^{10}$ см$^{−2}$. В той же час поверхневий опір для тих самих плівок, міряний при 77 К на частоті 135 ГГц, в залежности від густини лінійних дефектів змінюється від 160 мОм до 115 мОм, відповідно. Розроблені технології надалі можуть використовуватися для виготовлення плівкових НВЧ-фільтрів у мобільному, стільниковому та супутниковому зв’язку, а також для створення довгомірних, так називаних покритих провідників із високою струмонесною здатністю в сильних магнетних полях для електротехнічних застосувань та у мережах електропередач.