Проведены тщательные теоретические и экспериментальные исследования и модернизация отдельных процессов лазерного и магнетронного методов осаждения с целью создания YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ пленок и барьерных слоев СеО$_2$ с контролируемой кристаллической структурой и высокими сверхпроводящими свойствами пленок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$. В результате работы разработаны физико-технологические основы получения сверхпроводящих пленок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ на диэлектрических (сапфировых) подложках с использованием барьерного слоя CeO$_{2}$, как методом двухлучевого лазерного осаждения, так и магнетронного распыления. Проведена оптимизация технологических режимов осаждения пленок обоими методами. Показано, что при оптимальных условиях осаждения можно получать эпитаксиальные пленки YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$ с контролируемой наноструктурой, как методом импульсного лазерного осаждения, так и методом магнетронного распыления. При этом возможно контролируемо изменять сверхпроводящие свойства ВТСП-пленок YBa$_{2}$Cu$_{3}$O$_{7-\delta}$, как по токонесущей способности, так и по поверхностному импедансу на сверхвысоких частотах. Плотность критического тока сверхпроводящих пленок в зависимости от количества линейных дефектов (краевых дислокаций) может колебаться от $7\cdot10^6$ A/см$^2$ при 77 К в нулевом магнитном поле для плотности линейных дефектов около $10^{11}$ см$^{−2}$ до $×10^5$ A/см$^2$ в таких же условиях измерения для плотности линейных дефектов около $10^{10}$ см$^{−2}$. В то же время поверхностное сопротивление для тех же пленок, измеренное при 77 К на частоте 135 ГГц, в зависимости от плотности линейных дефектов изменяется от 160 мОм до 115 мОм, соответственно. Разработанные технологии в дальнейшем могут использоваться для изготовления пленочных СВЧ-фильтров в мобильной, сотовой и спутниковой связи, а также для создания длинномерных, так называемых покрытых проводников с высокой токонесущей способностью в сильных магнитных полях для электротехнических применений и в сетях электропередач.