Джозефсонові переходи низької ємности
А. П. Шаповалов$^{1,2}$, П. Февр$^3$, У. Їлмаз$^3$, В. І. Шнирков$^4$, М. О. Білоголовський$^{1,5}$, О. А. Кордюк$^{1,4}$
$^1$Інститут металофізики ім. Г. В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
$^2$Інститут надтвердих матеріалів ім. В. М. Бакуля НАН України, вул. Автозаводська, 2, 04074 Київ, Україна
$^3$Савойський університет Монблан, IMEP-LAHC, Науковий кампус, 73376 Ле Бурже-дю-Лак, Франція
$^4$Київський академічний університет НАН України і МОН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Украина
$^5$Донецький національний університет імені Василя Стуса, вул. 600-річчя, 21, 21021 Вінниця, Україна
Отримано 02.12.2019; остаточний варіант — 13.02.2020 Завантажити PDF
Анотація
Джозефсонів ефект, — приклад макроскопічного квантового явища, — спостерігається у тришарових гетероструктурах, утворених двома надпровідниками, сполученими слабкою ланкою, яка зазвичай складається з ізоляційного бар’єру товщиною у 1–2 нм. Традиційний спосіб моделювання динаміки таких систем базується на еквівалентній схемі, що включає три паралельних елементи: суто надпровідний елемент з певною залежністю надструму від Джозефсонової ріжниці фаз, резистор $R$ і конденсатор $C$. У цьому короткому огляді ми аналізуємо практичну проблему зменшення ємности переходу при збереженні або незначному погіршенні інших характеристик. Наведено декілька арґументів, які пояснюють, чому ємність має бути зменшеною та як вона впливатиме на параметри надпровідного квантового інтерферометра. Задля вирішення проблеми переходів низької ємности ми пропонуємо слабкі ланки, створені з аморфного кремнійового прошарку, леґованого нанорозмірними металевими крапельками, між двома надпровідними електродами зі стопу Mo–Re.
Ключові слова: Джозефсонові переходи, RCSJ-модель, низька ємність, леґовані напівпровідникові бар’єри, електроди зі стопу Mo–Re, НКВІД, SFQ-логіка.
Citation: A. P. Shapovalov, P. Febvre, U. Yilmaz, V. I. Shnyrkov, M. O. Belogolovskii, and O. A. Kordyuk, Low-Capacitance Josephson Junctions, Progress in Physics of Metals, 21, No. 1: 3–25 (2020); doi: 10.15407/ufm.21.01.003