Оглядову статтю присвячено «квантовій інженерії» вирощування плівок срібла на напівпровідникових підкладинках, яке уможливлює одержання нових форм речовини. Наведено результати з енергетичної дисперсії електронних станів у епітаксіальних плівках Ag(111), одержаних на Si(001) та Si(111). Пояснено розщеплення зон і надано аналіз поверхневих станів за Шоклі. Детально аналізуються надструктури, які утворюються на поверхні моношарових наноструктур срібла. Наведено детальний аналіз енергетичних станів квантових ям шляхетних металів. Досліджено механізм формування нанорельєфу шляхетного металу на поверхнях (111) і (110) монокристалу Si при багатостадійному термічному напорошенні. Симетрія поверхні інтерфейсу монокристалічної площини кремнію Si(111)7$\times$7 є детермінувальною у механізмі росту гексагонально-пірамідальних структур міді, срібла та золота. Досліджено морфологічні особливості поверхні індію при його термічному нанесенні на поверхні Si(111) і Si(110). Спостерігається утворення кластерів правильної кубічної форми, що свідчить про формування нанокристалів In. Утворення нанокластерів In (розміром у $\approx$10 нм) на поверхні Si(111) і подальше змінення морфології поверхні монокристалу модифікують розраховані криві густини електронних станів.