Обзорная статья посвящена «квантовой инженерии» выращивания плёнок серебра на полупроводниковых подложках, которое позволяет получать новые формы вещества. Приведены результаты по энергетической дисперсии электронных состояний в эпитаксиальных плёнках Ag(111), полученных на Si(001) и Si(111). Объяснено расщепление зон и дан анализ поверхностных состояний Шокли. Детально анализируются сверхструктуры, которые образуются на поверхности монослойных наноструктур серебра. Приведён детальный анализ энергетических состояний квантовых ям благородных металлов. Исследован механизм формирования нанорельефа благородного металла на поверхностях (111) и (110) монокристалла Si при многостадийном термическом напылении. Симметрия поверхности интерфейса монокристаллической плоскости кремния Si(111)7$\times$7 является детерминирующей в механизме роста гексагонально-пирамидальных структур меди, серебра и золота. Исследованы морфологические особенности поверхности индия при его термическом нанесении на поверхности Si(111) и Si(110). Наблюдается образование кластеров правильной кубической формы, что свидетельствует о формировании нанокристаллов In. Образование нанокластеров In (размером $\approx$10 нм) на поверхности Si(111) и дальнейшее изменение морфологии поверхности монокристалла модифицируют рассчитанные кривые плотности электронных состояний.