Випуски УФМ »  Том 14, випуск 4

Електронні властивості нанорозмірних квазиатомних структур

С. І. Покутній, П. П. Горбик

Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка НАН України, вул. Генерала Наумова, 17, 03164 Київ, Україна

Отримана: 29.08.2013. Завантажити: PDF

В огляді узагальнено результати теоретичних досліджень штучного атома (або надатома) — нанорозмірної квазиатомової структури з просторово розділеними електроном і діркою (дірка знаходиться в об’ємі напівпровідникової квантової точки (КТ), а електрон локалізований на зовнішній сферичній поверхні поділу КТ–діелектрична матриця). Показано, що з таких штучних атомів можлива побудова квазимолекуль і квазикристалів, що мають задані фізичні й хемічні властивості. Обговорюється роль надатомів у різних фізичних явищах і в технічних застосуваннях.

Ключові слова: штучний атом, квазінульвимірні наносистеми, квантові точки, просторово розділені електрон і дірка, електронні властивості.

PACS: 68.65.Нb, 71.23.Ft, 71.35.Ee, 73.20.Mf, 73.21.La

Citation: S. I. Pokutnyi and P. P. Gorbyk, Electron Properties of Nanodimensional Quasi-Atomic Structures, Usp. Fiz. Met., 14, No. 4: 353—378 (2013) (in Russian), doi: 10.15407/ufm.14.04.353

Цитована література (57)  
  1. Е. А. Андрюшин, А. А. Быков, Успехи физ. наук, 154, № 1: 123 (1988). Crossref
  2. H. Watanabe and T. Inoshita, Optoelectron. Device Techol., 1: 33 (1986).
  3. Ж. И. Алферов, Успехи физ. наук, 32, № 1: 3 (1998).
  4. Н. Н. Леденцов, В. М. Устинов, Ж. И. Алферов, Физика и техника полупроводников, 32, № 4: 385 (1998). Crossref
  5. Ж. И. Алферов, Успехи физ. наук, 172, № 9: 1068 (2002).
  6. А. П. Шпак, Ю. А. Куницкий, В. Л. Карбовский, Кластерные и наноструктурные материалы. Т. 2 (Киев: Академпериодика: 2001).
  7. А. П. Шпак, Ю. А. Куницкий, В. И. Лысов, Кластерные и наноструктурные материалы. Т. 1 (Киев: Академпериодика: 2002).
  8. П. П. Горбик, А. А. Дадыкин, И. В. Дубровин, Химия, физика и технология поверхности, вып. 11, 12: 261 (2006).
  9. П. П. Горбик, А. А. Дадыкин, И. В. Дубровин, Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 1, № 2: 475 (2003).
  10. П. П. Горбик, А. А. Дадыкин, И. В. Дубровин, Фізика і хімія твердого тіла, 5, № 3: 552 (2004).
  11. S. V. Kondratenko, Yu. N. Kozyrev, and A. G. Naumovets, J. Mater. Sci., 46: 5737 (2011). Crossref
  12. Ю. М. Козирев, М. Т. Картель, М. Ю. Рубежанська, Доповіді НАНУ, 1: 71 (2010).
  13. С. В. Кондратенко, О. В. Вакуленко, А. Г. Наумовець, Укр. физ. журн., 55, № 4: 381 (2010).
  14. S. I. Pokutnyi, Phys. Express, 1, No. 3: 158 (2011).
  15. S. I. Pokutnyi, J. Nanoscienc. Lett., 1, No. 3: 191 (2011).
  16. С. И. Покутний, Физика и техника полупроводников, 44, No. 4: 507 (2010). Crossref
  17. С. И. Покутний, Физика и техника полупроводников, 46, No. 2: 174 (2012). Crossref
  18. S. I. Pokutnyi, Ukr. J. Phys. Rev., 3, No. 1: 46 (2006).
  19. A. П. Шпак, С. И. Покутний, Успехи физики металлов, 6, № 2: 105 (2005).
  20. С. И. Покутний, Физика и техника полупроводников, 41, № 11: 1341 (2007). Crossref
  21. A. П. Шпак, С. И. Покутний, Успехи физики металлов, 6, No. 2: 105 (2005).
  22. A. П. Шпак, С. И. Покутний, В. Р. Уваров, Успехи физики металлов, 8, No. 2: 157 (2007).
  23. A. П. Шпак, С. И. Покутний, В. Р. Уваров, Успехи физики металлов, 8, No. 1: 1 (2007).
  24. A. П. Шпак, С. И. Покутний, В. Р. Уваров, Металлофиз. новейшие технол., 30, No. 4: 459 (2008).
  25. С. И. Покутний, Металлофиз. новейшие технол., 32, No. 4: 724 (2010).
  26. С. И. Покутний, Металлофиз. новейшие технол., 34, No. 6: 743 (2012).
  27. S. I. Pokutnyi, Phys. Express, 2, No. 1: 20 (2012).
  28. С. И. Покутний, Журнал технической физики, 39, No. 3: 233 (2013). Crossref
  29. С. И. Покутний, Физика и техника полупроводников, 47, No. 6: 780 (2013); С. И. Покутний, Физика и техника полупроводников, 47, No. 12: 1653 (2013). Crossref
  30. S. I. Pokutnyi, J. Nanostruct. Chem., 1, No. 5: 202 (2013).
  31. Н. А. Ефремов, С. И. Покутний, Физ. твердого тела, 27, № 1: 48 (1985).
  32. Н. А. Ефремов, С. И. Покутний, Физ. твердого тела, 32, № 10: 2921 (1990).
  33. Н. А. Ефремов, С. И. Покутний, Физ. твердого тела, 33, № 10: 2845 (1991).
  34. S. I. Pokutnyi, phys. stat. sol. (b), 165, No. 1: 109 (1991). Crossref
  35. S. I. Pokutnyi, phys. stat. sol. (b), 172, No. 2: 573 (1992). Crossref
  36. С. И. Покутний, Физ. твердого тела, 35, № 2: 257 (1993).
  37. С. И. Покутний, ФТП, 31, № 12: 1443 (1997).
  38. А. В. Двуреченский, А. И. Якимов, Физика и техника полупроводников, 35, № 9: 1143 (2001). Crossref
  39. A. I. Yakimov, N. P. Stepina, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, and A. V. Nenashev, Semicond. Sci. Technol., 15: 1125 (2000). Crossref
  40. Yu. N. Kulchin and V. P. Dzyuba, Quantum Electr., 38, No. 2: 154 (2008). Crossref
  41. Yu. N. Kulchin and V. P. Dzyuba, Techn. Phys. Lett., 36, No. 21: 1 (2010).
  42. Yu. N. Kulchin and V. P. Dzyuba, Pacific Science Rev., 12, No. 1: 102 (2010).
  43. Н. В. Бондарь, М. С. Бродин, Физика и техника полупроводников, 44, № 7: 915 (2010).
  44. В. Я. Грабовскис, Я. Я. Дзенис, А. И. Екимов, Физ. твердого тела, 31, № 1: 272 (1989).
  45. A. O. Podolian and Yu. N. Kozyrev, Adv. Mater. Research, 276: 159 (2011). Crossref
  46. V. S. Lysenko, Yu. V. Gomeniuk, and Yu. N. Kozyrev, Phys. Rev. B, 86: 115425 (2011). Crossref
  47. Ю. Н. Козырев, М. Ю. Рубежанская, А. А. Чуйко, Структурные особенности эпитаксиальных гетероструктур с квантовыми точками Ge на Si (Киев: Институт химии поверхности НАН Украины: 2004).
  48. Л. В. Келдыш, Письма в ЖЭТФ, 29, № 11: 776 (1979).
  49. S. I. Pokutnyi, J. Appl. Phys., 96, No. 2: 11115 (2004). Crossref
  50. S. I. Pokutnyi, Phys. Lett. A, 342: 347 (2005). Crossref
  51. S. I. Pokutnyi, J. Appl. Chem., 1, No. 1: 5 (2013).
  52. S. I. Pokutnyi and P. P. Gorbyk, Optics, 2, No. 4: 47 (2013). Crossref
  53. Э. А. Маныкин, Письма в ЖТФ, 43, № 3: 172 (2008).
  54. P. Krebs, Phys. Rev. Lett., 68, No. 3: 211 (2004).
  55. В. Л. Гинзбург, В. В. Келле, Письма в ЖЭТФ, 17: 428 (1973).
  56. Ю. Е. Лозовик, В. Н. Нишанов, Физ. твердого тела, 18: 3267 (1976).
  57. А. Б. Мигдал, Качественные методы в квантовой теории (Москва: Наука: 1975).

© 2013–2018 «ІМФ НАН України»