Обговорено два універсальних ефекти в тунельних характеристиках шаруватих структур метал—ізолятор—метал, у яких діелектричний бар’єр сформований нанорозмірною розупорядкованою плівкою оксиду: (1) універсальний розподіл прозоростей такого шару, що не залежить від конкретних мікроскопічних характеристик, і (2) зміна диференційної провідности таких гетероструктур з напругою за степеневим законом з показником степеня, близьким до 1,33. Наведено експериментальні результати для надпровідних три- і чотирошарових структур з неоднорідними тунельними бар’єрами, що підтверджують існування універсального розподілу їх прозоростей, а також його просту теоретичну інтерпретацію, засновану на гіпотезі про рівнорозподіл добутку висоти бар’єру на шлях, який електрон проходить всередині нього. Показано, що з ростом товщини дефектного шару ізолятора домінантним механізмом провідности стає непружнє тунелювання з емісією бозонних збуджень, в результаті чого залежність диференційної провідности від напруги набуває степеневого характеру з показником степеня, який характеризує число локалізованих всередині бар’єру станів, залучених до процесу переносу заряду крізь нього. Показано, що для матеріялів з фононною густиною станів, що слабко залежить від енергії, показник степеня 1,33 відповідає стрибковій тунельній провідності з участю двох дефектних станів. Детально обговорено відповідні експериментальні дані для розупорядкованих діелектричних шарів на поверхні манганітів.