Теорія взаємодії фононів з електронами в металах
С. М. Січкар
Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна
Отримана: 03.08.2016; остаточний варіант - 22.02.2017. Завантажити: PDF
Представлено ab initio розрахунки для ГЩП-металів: матричного елементу електрон-фононної взаємодії, функції Еліашберґа та анізотропії транспортної функції для напрямків [10$\bar{1}$0] і [0001]. Теорія враховує реальну форму кристалічного потенціялу та його повну варіяцію при збуренні, що викликане наявністю фонону у ґратниці. Такий підхід уможливлює вийти за межі класичного наближення жорсткого зсуву йонів і врахувати анізотропію фізичних властивостей для кристалів з некубічною симетрією.
Ключові слова: функція Еліашберґа, питомий електроопір, ГЩП-кристали, повнопотенціяльна лінійна метода «маффін-тін»-орбіталей (ПП ЛМТО), мікроконтактні спектри, анізотропія.
PACS: 63.20.dh, 63.20.dk, 63.20.kd, 63.20.kg, 72.15.Lh, 72.15.-v
Citation: S. M. Sichkar, Theory of Phonon–Electron Interaction in Metals, Usp. Fiz. Met., 18, No. 1: 27—57 (2017) (in Ukrainian), doi: 10.15407/ufm.18.01.027