Вплив порушеного поверхневого шару на динамічное розсіяння в кристалах з дефектами

А. П. Шпак, В. Б. Молодкін, Г. І. Низкова, М. Т. Когут, Є. В. Первак

Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, бульв. Академіка Вернадського, 36, 03142 Київ, Україна

Отримана: 25.08.2004. Завантажити: PDF

Запропоновано та описано в рамках динамічної теорії повної інтегральної відбивної здатності у геометрії дифракції Брегга модель розсіяння для кристалу з порушеним поверхневим шаром (ППШ) і випадково розподіленими дефектами (ВРД). В цій моделі кристал ділиться за товщиною на три шара. Перший шар – сильно порушений пластичною деформацією шар, в якому дифракція повністю відсутня. Цей шар виявляється лише процесами поглинання в ньому рентгенівських променів. Другий – шар, пружньо деформований першим шаром, в якому довжина когерентності розсіяння менше довжини екстинкції і, як наслідок, розсіяння в ньому носить кінематичний характер. Третій – динамічно розсіюючий шар, що містить ВРД. На основі цієї моделі встановлено нові фізичні ефекти при Брегг-дифракції у таких кристалах, та в результаті запропоновано способи унікальної неруйнуючої кількісної діагностики у тому числі і нанорозмірних характеристик як ППШ, так і ВРД.

Ключові слова: Рентґенові промені, Бреґґ-дифракція, монокристал, дефект, порушений поверхневий шар.

PACS: 61.10.Dp, 61.10.Kw, 61.46.+w, 61.72.Dd, 61.72.Ff, 68.65.Ac

Citation: A. P. Shpak, V. B. Molodkin, G. I. Nizkova, M. T. Kogut, and Ye. V. Pervak, Influence of the Broken Surface Layer on Dynamic Scattering in Crystals with Defects, Usp. Fiz. Met., 5, No. 3: 285—312 (2004) (in Russian), doi: 10.15407/ufm.05.03.285


Цитована література (31)  
  1. Proc. of the 1-st Int. Autumn School ‘Gettering and Defect Engineering in the Semiconductor Technology’ (Ed. H. Richter) (Jarzau, DDR; Oct. 8–18, 1985).
  2. А. М. Афанасьев, П. А. Александров, Р. М. Имамов, Рентгеновская диагностика субмикронных слоев (Москва: Наука: 1986).
  3. А. Н. Гуреев, И. В. Прокопенко, Завод. лаб., 45, № 6: 536 (1979).
  4. Л. И. Даценко, Н. Ф. Короткевич, УФЖ, 18, № 1: 145 (1973).
  5. Л. І. Даценко, Вісн. АН УРСР, № 3: 19 (1975).
  6. Л. И. Даценко, УФЖ, 24, № 5: 577 (1979).
  7. Е. Н. Кисловский, В. П. Кладько, А. В. Фомин и др., Завод. лаб., 51, № 7: 30 (1985).
  8. Л. И. Даценко, В. Б. Молодкин, М. Е. Осиновский, Динамическое рассеяние рентгеновских лучей реальными кристаллами (Киев: Наук. думка: 1988).
  9. Л. И. Даценко, Е. Н. Кисловский, Т. Г. Крыштаб и др., Поверхность, № 8: 69 (1985).
  10. Е. Н. Кисловский, Т. Г. Крыштаб, В. И. Хрупа, Л. И. Даценко, Металлофизика, 8, № 3: 52 (1986).
  11. Т. Г. Крыштаб, Е. Н. Кисловский, В. И. Хрупа, Металлофизика, 8, № 4: 109 (1986).
  12. В. Г. Барьяхтар, А. Н. Гуреев, В. В. Кочелаб и др., Металлофизика, 11, № 3: 73 (1989).
  13. Обработка полупроводниковых материалов (Ред. Н. В. Новиков, В. Бертольди) (Киев: Наук. думка: 1982).
  14. Т. Ф. Русак, К. Л. Енишерова, Электронная техника. Полупроводниковые приборы, № 3: 3 (1983).
  15. М. Г. Мильвидский, В. Г. Фомин, М. М. Хацкевич и др., Физика и химия обработки материалов, № 2: 122 (1986).
  16. A. W. Stevenson, Acta Cryst., A49: 174 (1993). Crossref
  17. В. Б. Молодкин, А. И. Низкова, С. И. Олиховский и др., Металлофиз. новейшие технол., 24, № 4: 521 (2002).
  18. В. Б. Молодкин, А. И. Низкова, С. И. Олиховский и др., Металлофиз. новейшие технол., 24, № 5: 585 (2002).
  19. S. M. Hu, Appl. Phys. Lett., 48: 115 (1986). Crossref
  20. W. Patrick, E. Hearn, W. Westdorp et al., J. Appl. Phys., 50, No. 11: 7156 (1979). Crossref
  21. E. R. Weber, Appl. Phys. A, 30: 1 (1993). Crossref
  22. F. Shimura, H. Tsuya, and T. Kawamura, J. Electrochem Soc., 128: 1578 (1981). Crossref
  23. K. Graff, H. A. Hefner, and W. Hemmerici, J. Electrochem Soc., 135, No. 4: 952 (1988). Crossref
  24. B. Shen, T. Sekiguchi, J. Jablonski et al., J. Appl. Phys., 76, No. 8: 4540 (1994). Crossref
  25. В. Б. Молодкин, В. В. Немошкаленко, А. И. Низкова и др., Металлофиз. новейшие технологии, 22, № 3: 3 (2000).
  26. В. Б. Молодкин, А. И. Низкова, С. И. Олиховский и др., Металлофиз. новейшие технологии, 24, № 8: 1089 (2002).
  27. R. I. Fox, IEEE, 13: 367 (1966).
  28. H. F. Wenzl, Z. Naturforsh, 26a, No. 3: 495 (1971).
  29. K. D. Weltzin, R. A. Swalin, and T. F. Hutchinson, Acta Met., 13, 115 (1965). Crossref
  30. J. R. Carter and R. A. Swalin, J. Appl. Phys., 31, 1191 (1960). Crossref
  31. М. А. Кривоглаз, Дифракция рентгеновских лучей и нейтронов в неидеальных кристаллах (Киев: Наук. думка: 1983). Crossref