Теория фононов в металлах
С. М. Сичкар
Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03142 Киев, Украина
Получена: 07.04.2015. Скачать: PDF
В обзоре рассматривается эволюция теоретических основ расчётов фононных спектров в кристаллах. Показываются принципиальные сложности при применении стандартной теории возмущения для переходных металлов. Подробно анализируются феноменологические теории, основанные на использовании теории групп для поиска неэквивалентных элементов динамической матрицы и экспериментальных значениях фононных частот в высокосимметрийных направлениях. На примере гексагональных плотноупакованных переходных металлов Y, Sc, Tc и Ru рассчитываются фононные спектры и плотность фононных состояний методом линейного отклика. В качестве базиса для расчёта электронного спектра используются линейные «маффин-тин»-орбитали в модели расчёта, которая принимает во внимание реальную полную форму кристаллического потенциала (ПП ЛМТО). Вышеупомянутые металлы интересны, как минимум, с двух теоретических точек зрения. Во-первых, все они достаточно хорошо изучены экспериментально. Это позволяет сравнить расчёты с данными нейтронной спектроскопии, а также оценить точность феноменологических моделей, которые применялись ранее для вычисления фононных спектров. Во-вторых, для всех вышеуказанных ГПУ-металлов отношение параметров решётки $c/a$ отклоняется от идеального значения (8/3)$^{(1/2)}$. Таким образом, реальная форма кристаллического потенциала внутри «маффин-тин»-сферы, в отличие от, например, ГЦК-решётки, при сферической аппроксимации будет иметь топологическую ошибку, которая коррелирует с отклонением значения $c/a$ от идеального. Применение ПП ЛМТО снимает последнюю проблему.
Ключевые слова: ГПУ-кристаллы, фононные спектры, ПП ЛМТО, обобщённая восприимчивость, псевдопотенциал, теория линейного отклика.
PACS: 63.20.D-, 63.20.K-, 63.20.Ry, 71.15.Ap, 71.15.Dx, 71.15.Rf
Citation: S. M. Sichkar, The Theory of Phonons in Metals, Usp. Fiz. Met., 16, No. 3: 229—264 (2015) (in Ukrainian), doi: 10.15407/ufm.16.03.229