Развит метод описания электронных корреляций в неупорядоченных кристаллах, основанный на гамильтониане многочастичной системы и диаграммной технике для расчёта функций Грина. Электронные состояния системы описаны в рамках самосогласованной многозонной модели сильной связи. Учтены процессы рассеяния электронов на потенциалах ионных остовов разного сорта и колебаниях кристаллической решётки. Предложен последовательный метод учёта дальнодействующего кулоновского взаимодействия электронов на разных узлах решётки. Получено кластерное разложение для плотности состояний, свободной энергии и электропроводности неупорядоченной системы. Показано, что вклады процессов рассеяния элементарных возбуждений на кластерах уменьшаются с увеличением числа узлов в кластере в соответствии с некоторым малым параметром. Точность расчёта определяется точностью перенормировки вершинных частей массовых операторов электрон-электронного и электрон-фононного взаимодействий и малым параметром кластерного разложения. Выяснена природа спин-зависимого электронного транспорта углеродных нанотрубок с атомами хрома, адсорбированными на поверхности. Показано, что величина спин-зависимого транспорта связана с относительным сдвигом во внешнем магнитном поле энергетических уровней электронов (кулоновскими щелями, возникающими в области уровня Ферми) для разных проекций спина.