Интегральная дифрактометрия наноразмерных дефектов в упруго изогнутом монокристалле
А. П. Шпак, В. Б. Молодкин, А. И. Низкова
Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова НАН Украины, бульв. Академика Вернадского, 36, 03142 Киев, Украина
Получена: 29.12.2003. Скачать: PDF
С целью создания новых высокоинформативных методов диагностики случайно распределенных наноразмерных дефектов (СРНД), которые не могут наблюдаться традиционными неразрушающими методами, такими, как рентгеновская топография, для которой такие наноразмерные в одном из измерений либо во всех трех измерениях дефекты оказываются за пределами чувствительности метода, разработаны физические основы метода деформационных зависимостей полной интегральной отражательной способности (ПИОС), которая оказалась уникально чувствительной к СНРД. Впервые теоретически и экспериментально доказано наличие зависимостей от однородной упругой макроскопической деформации интегральной интенсивности диффузного рассеяния, экстинкционных факторов или коэффициентов экстинкции, обусловленных рассеянием на дефектах, как для когерентной ($\mu_{ds}$),так и для диффузной ($\mu^{*}$)составляющих ПИОС и эффективного статического фактора Дебая–Валлера, показатель которого считается пропорциональным интегральной интенсивности диффузного рассеяния. Установлена природа возможных механизмов как аддитивного, так и неаддитивного влияния упругих деформаций (УД) и СРНД в объеме динамически рассеивающего монокристалла на величину ПИОС при различной степени асимметрии отражений, которая позволяет существенно усиливать эффект влияния УД на ПИОС. Показано, что неаддитивность совместного влияния СРНД и УД на величину ПИОС Лауэ-рефлексов свидетельствует о существенной роли эффектов экстинкции из-за рассеяния на СРНД и об относительном росте их влияния на ПИОС при возрастании УД, что обеспечивается, например, присутствием в исследуемом монокристалле крупных в двух измерениях СРНД, влияние которых на величину ПИОС оказывается, по отмеченным причинам, сравнимым с влиянием упругой деформации при любой силе изгиба и при любой степени асимметрии используемых Лауэ-рефлексов. Мелкие дефекты при обычно достаточно низких их концентрациях из-за слабого проявления для них указанных экстинкционных эффектов приводят к аддитивному влиянию СРНД и УД на ПИОС при любой степени асимметрии отражений. Доказана возможность разделения влияния на ПИОС СРНД и УД путем факторизации выражений для ПИОС на множители, зависящие только от СРНД и только от УД. В том числе впервые деформационные поправки к факторам экстинкции деформационных зависимостей Брэгговской и диффузной составляющих ПИОС упруго изогнутых монокристаллов с микродефектами феноменологически также факторизованы на множители, зависящие только от СРНД и только от УД. При этом найдена в явном виде зависимость указанных поправок от характеристик СРНД. Это впервые обеспечило возможность адекватного количественного определения характеристик СРНД путем подгонки теоретических и экспериментальных деформационных зависимостей ПИОС.
Ключевые слова: рентгеновские лучи, Лауэ-дифракция, монокристалл, микродефект, упругий изгиб.
PACS: 61.10.Dp, 61.10.Kw, 61.46.+w, 61.72.Dd, 61.72.Ff, 81.70.Ex
Citation: A. P. Shpak, V. B. Molodkin, and A. I. Nizkova, Integral Diffractometry of Nanoscale Defects in an Elastically-Bent Single Crystal, Usp. Fiz. Met., 5, No. 1: 51—86 (2004) (in Russian), doi: 10.15407/ufm.05.01.051